半導體材料專家、中國工程院院士、中國科學院半導體所研究員梁駿吾，因病醫治無效，于2022年6月23日在北京逝世，享年89歲。

梁駿吾，1933年9月18日出生，湖北武漢人。1955年畢業于武漢大學，1956年至1960年在蘇聯科學院莫斯科巴依可夫冶金研究所攻讀副博士學位，1960年獲技術科學副博士學位。1997年當選為中國工程院院士。曾任中國電子學會半電子材料學分會主任、名譽主任。

梁駿吾是我國從事硅材料研究的元老級專家，在20世紀60年代解決了高純區熔硅的關鍵技術。1964年制備出室溫激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功為大規模集成電路用的無位錯、無旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧量的優質硅區熔單晶。上世紀80年代首創了摻氮中子嬗變硅單晶，解決了硅片的完整性和均勻性的問題。90年代初研究MOCVD生長超晶格量子阱材料，在晶體完整性、電學性能和超晶格結構控制方面，將中國超晶格量子阱材料推進到實用水平。

梁駿吾一生與半導體材料科研事業相伴，他曾在采訪中說，希望通過自己的科研經歷，帶給年輕科研人員一些啟發，讓他們看到這份事業可以有所作為，讓他們覺得自己同樣能夠作出成績。

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