半導(dǎo)體材料專家、中國工程院院士、中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員梁駿吾，因病醫(yī)治無效，于2022年6月23日在北京逝世，享年89歲。

梁駿吾，1933年9月18日出生，湖北武漢人。1955年畢業(yè)于武漢大學(xué)，1956年至1960年在蘇聯(lián)科學(xué)院莫斯科巴依可夫冶金研究所攻讀副博士學(xué)位，1960年獲技術(shù)科學(xué)副博士學(xué)位。1997年當(dāng)選為中國工程院院士。曾任中國電子學(xué)會半電子材料學(xué)分會主任、名譽主任。

梁駿吾是我國從事硅材料研究的元老級專家，在20世紀(jì)60年代解決了高純區(qū)熔硅的關(guān)鍵技術(shù)。1964年制備出室溫激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功為大規(guī)模集成電路用的無位錯、無旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧量的優(yōu)質(zhì)硅區(qū)熔單晶。上世紀(jì)80年代首創(chuàng)了摻氮中子嬗變硅單晶，解決了硅片的完整性和均勻性的問題。90年代初研究MOCVD生長超晶格量子阱材料，在晶體完整性、電學(xué)性能和超晶格結(jié)構(gòu)控制方面，將中國超晶格量子阱材料推進(jìn)到實用水平。

梁駿吾一生與半導(dǎo)體材料科研事業(yè)相伴，他曾在采訪中說，希望通過自己的科研經(jīng)歷，帶給年輕科研人員一些啟發(fā)，讓他們看到這份事業(yè)可以有所作為，讓他們覺得自己同樣能夠作出成績。

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